主題：科學家發(fā)明原子級“透視鏡” 半導體缺陷無所遁形



財聯(lián)社
美國密歇根州立大學 (MSU) 的物理學家們開發(fā)了一種新的方法，可以以原子尺度分析半導體。這種方法將高分辨率顯微鏡與超快激光結合起來，可以以前所未有的方式檢測半導體的“缺陷”。這項研究由密歇根州立大學杰里考恩實驗物理學資助講座教授泰勒科克爾領導。隨著設備變得越來越小、功能越來越強大，能夠檢查設備組成材料的工具變得至關重要。


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