主題：三安光電榮獲國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)

1月10日上午，國(guó)家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會(huì)在北京人民大會(huì)堂舉行。三安光電以“高光效長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體照明關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目，與中科院等聯(lián)袂榮獲國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)。

　　記者了解到，此次三安光電與中科院半導(dǎo)體研究所，通過(guò)共同承擔(dān)國(guó)家科研任務(wù)、簽署技術(shù)合作協(xié)議等方式開展密切合作，攻關(guān)半導(dǎo)體照明產(chǎn)品光電轉(zhuǎn)化效率、長(zhǎng)期工作可靠性等核心技術(shù)難題。最終，項(xiàng)目從半導(dǎo)體照明材料、芯片、封裝、模組與應(yīng)用全鏈條形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高光效長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體照明全套技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)芯片技術(shù)產(chǎn)業(yè)化與核心器件國(guó)產(chǎn)化。

　　“此次項(xiàng)目成果包括p型氮化物摻雜與量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、微納圖形化襯底及成核技術(shù)、新型緩沖層的高質(zhì)量氮化物外延技術(shù)、激光誘導(dǎo)光提取技術(shù)等多項(xiàng)外延芯片技術(shù)率先在三安光電進(jìn)行推廣與量產(chǎn)?！比补怆姼笨偨?jīng)理蔡文必接受采訪時(shí)表示，這些成果促進(jìn)了三安光電外延芯片的技術(shù)發(fā)展，使得我國(guó)半導(dǎo)體照明芯片由完全依賴進(jìn)口到自主可控全面國(guó)產(chǎn)化，實(shí)現(xiàn)了替代進(jìn)口。

　　對(duì)于LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景，蔡文必表示，以氮化物基發(fā)光二極管（LED）為核心器件的新一代半導(dǎo)體照明光源具有高效節(jié)能、綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是全球最有發(fā)展前景的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)之一。隨著各國(guó)淘汰白熾燈計(jì)劃進(jìn)一步實(shí)施，LED 通用照明市場(chǎng)將呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。

　　“‘再造一個(gè)三安’已踏出新的征程?！辈涛谋剡M(jìn)一步介紹說(shuō)，為鞏固三安光電在傳統(tǒng)半導(dǎo)體照明領(lǐng)先地位，三安光電也在繼續(xù)聯(lián)合中科院等科研機(jī)構(gòu)，向高端、新興半導(dǎo)體照明領(lǐng)域加快拓展。

　　目前，三安光電分別投資高端氮化鎵LED外延芯片、高端砷化鎵LED外延芯片、Mini/Micro LED芯片、車用LED照明等領(lǐng)域，公司在“泉州芯谷”南安園區(qū)建設(shè)的半導(dǎo)體項(xiàng)目和湖北省鄂州市的Mini/Micro LED顯示芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)展順利。

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