主題：中國氧化物TFT背板技術在京東方結碩

近日，中國大陸首塊氧化物TFT液晶屏(18.5英寸HD Oxide TFT-LCD)及首塊氧化物AMOLED顯示屏(4英寸WQVGA Oxide AMOLED)在京東方研發(fā)成功，同時，相關工藝技術及設計開發(fā)也已完成。這標志著我國氧化物TFT背板技術研制已經達到業(yè)界先進水平，也將進一步推動我國在AMOLED等新型顯示產品的研制進程。

　　氧化物TFT即Oxide TFT背板技術，是與傳統(tǒng)a-Si TFT制程相近的背板技術，它將原本應用于a-Si TFT的硅半導體材料部分置換成氧化物半導體(現(xiàn)在應用最廣泛的是a-IGZO(amorphous Indium Gallium Zinc Oxide, 銦鎵鋅氧化物)來形成TFT 半導體層。


　　氧化物TFT相對于a-Si TFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優(yōu)勢，可應用于高頻顯示和高分辨率顯示產品，且相對于低溫多晶硅TFT制造領域具有設備投資成本低、運營保障成本低等優(yōu)點。


　　特別值得一提的是，氧化物TFT還是AMOLED新型顯示技術研發(fā)制造的關鍵技術。AMOLED顯示要解決量產、大尺寸制造等問題，首先需要解決的就是TFT背板開發(fā)問題。氧化物TFT技術的成功開發(fā)彌補了大尺寸AMOLED背板技術的缺陷，勢必成為推動AMOLED顯示產品進一步量產化的關鍵技術。而應用Oxide TFT技術的液晶屏及AMOLED顯示屏，其綜合性能將遠高于同類a-Si TFT產品。


　　京東方是我國規(guī)模最大的光電顯示技術、產品與解決方案的提供商，在氧化物TFT背板技術、AMOLED新型顯示等領域已取得多項重點專利，處于國際領先水平。據(jù)介紹，在此基礎上，京東方已著手開發(fā)高遷移率、高穩(wěn)定性的新半導體材料，并進一步推進高分辨率氧化物液晶顯示及大尺寸AMOLED的技術研發(fā)及量產儲備。


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