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主題:三星電子計劃在2026年推出最后一代10nm級工藝1d nm
三星電子DS部門展示了三星未來內(nèi)存產(chǎn)品路線圖。根據(jù)DDR內(nèi)存路線圖,三星計劃在2024年內(nèi)推出1c nm制程DDR內(nèi)存,該節(jié)點可提供32Gb顆粒容量產(chǎn)品;在2026年三星將推出其最后一代10nm級工藝1d nm,仍最大提供32Gb容量。
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